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首页 全部分类 FDMC89521L vs NVD5865NLT4G

FDMC89521L备选型号: NVD5865NLT4G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 场效应管技术
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  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 引脚数量
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMC89521L
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    196mg
    SILICON
    8.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    17MOhm
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    雪崩能源评级
    800mW
    S-PDSO-N4
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    1.9W
    DRAIN
    7.9 ns
    1.9W Ta 16W Tc
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    17m Ω @ 8.2A, 10V
    3V @ 250μA
    1635pF @ 30V
    24nC @ 10V
    2.1ns
    1.7 ns
    8.2A
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    15 pF
    800μm
    3mm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD5865NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
    LIFETIME (Last Updated: 3 hours ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    -
    SILICON
    10A Ta 46A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    8.4 ns
    -
    N-Channel
    -
    16m Ω @ 19A, 10V
    2V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    29nC @ 10V
    12.4ns
    4.4 ns
    10A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    鸥翼
    4
    60V
    ±20V
    38A
    203A
    60V
    36 mJ
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NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM 对比