ON Semiconductor FDMC89521L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

196mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.2A Ta

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2010

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

17MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

附加功能

雪崩能源评级

最大功率耗散

800mW

JESD-30代码

S-PDSO-N4

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.9W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.9 ns

功率 - 最大

1.9W Ta 16W Tc

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 8.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1635pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

上升时间

2.1ns

下降时间（典型值）

1.7 ns

连续放电电流(ID)

8.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

15 pF

高度

800μm

长度

3mm

宽度

3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅