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首页 全部分类 FDMD8240L vs FDMC7660

FDMD8240L备选型号: FDMC7660

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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD8240L
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMD8240L Dual MOSFET, Power Trench, Dual N Channel, 98 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    82.3188mg
    36 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    2.1W
    12 ns
    2 N-Channel (Dual)
    2.6m Ω @ 23A, 10V
    3V @ 250μA
    4230pF @ 20V
    56nC @ 10V
    40V
    23A
    2V
    20V
    40V
    150°C
    Standard
    800μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC7660
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    32.13mg
    20A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    Single
    2.3W
    14 ns
    N-Channel
    2.2m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4830pF @ 15V
    86nC @ 10V
    -
    20A
    1.7V
    20V
    30V
    -
    -
    1.05mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2009
    5
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N5
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    6.8ns
    ±20V
    5.7 ns
    MO-240BA
    0.0022Ohm
    200A
    200 mJ
    1.7 V
    3.3mm
    3.3mm
    无铅
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