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首页 全部分类 FDMD84100 vs IRF6645TRPBF

FDMD84100备选型号: IRF6645TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD84100
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    153.4014mg
    SILICON
    7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    23W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    8.4 ns
    2.1W
    2 N-Channel (Dual) Common Source
    SWITCHING
    20m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    980pF @ 50V
    16nC @ 10V
    2.6ns
    2.8 ns
    21A
    20V
    7A
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    750μm
    5.1mm
    3.4mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    7
    -
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    9.2 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    5.1 ns
    5.7mA
    20V
    -
    100V
    -
    -
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    100V
    BOTTOM
    5.7A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    42W
    DRAIN
    ±20V
    0.035Ohm
    45A
    29 mJ
    无
    无铅
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