ON Semiconductor FDMD84100

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

153.4014mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

23W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

8.4 ns

功率 - 最大

2.1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Source

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

980pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

2.6ns

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

21A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

750μm

长度

5.1mm

宽度

3.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant