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首页 全部分类 FDME1023PZT vs DMN2300UFB4-7B

FDME1023PZT备选型号: DMN2300UFB4-7B

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • 电阻
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 通道数量
  • Vgs（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDME1023PZT
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    6
    25.2mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ESD PROTECTION
    1.4W
    Dual
    增强型MOSFET
    1.3W
    DRAIN
    4.7 ns
    600mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    142m Ω @ 2.3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    405pF @ 10V
    7.7nC @ 4.5V
    4.8ns
    20V
    16 ns
    2.6A
    -600mV
    8V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -600 mV
    75 pF
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFB4-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    -
    SILICON
    1.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    -
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    DRAIN
    3.5 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    64.3pF @ 25V
    1.6nC @ 4.5V
    2.8ns
    -
    13 ns
    1.3A
    950mV
    8V
    20V
    -
    -
    -
    -
    400μm
    1.05mm
    650μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    175mOhm
    BOTTOM
    260
    40
    3
    1
    ±8V
    150°C
    无铅
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