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首页 全部分类 FDME1023PZT vs DMP21D0UFB4-7B

FDME1023PZT备选型号: DMP21D0UFB4-7B

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 通道数量
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDME1023PZT
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    6
    25.2mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ESD PROTECTION
    1.4W
    Dual
    增强型MOSFET
    1.3W
    DRAIN
    4.7 ns
    600mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    142m Ω @ 2.3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    405pF @ 10V
    7.7nC @ 4.5V
    4.8ns
    20V
    16 ns
    2.6A
    -600mV
    8V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -600 mV
    75 pF
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP21D0UFB4-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    -
    SILICON
    770mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    -
    Single
    增强型MOSFET
    990mW
    DRAIN
    7.1 ns
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    495m Ω @ 400mA, 4.5V
    700mV @ 250μA
    80pF @ 10V
    1.54nC @ 8V
    8ns
    20V
    18.5 ns
    1.17A
    -
    8V
    -20V
    -
    -
    -
    -
    350μm
    1.05mm
    650μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Gold
    BOTTOM
    260
    40
    3
    1
    ±8V
    0.86A
    0.4Ohm
    无铅
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