您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDME1023PZT vs DMN2300UFL4-7

FDME1023PZT备选型号: DMN2300UFL4-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDME1023PZT
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    6
    25.2mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ESD PROTECTION
    1.4W
    Dual
    增强型MOSFET
    1.3W
    DRAIN
    4.7 ns
    600mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    142m Ω @ 2.3A, 4.5V
    1V @ 250μA
    405pF @ 10V
    7.7nC @ 4.5V
    4.8ns
    20V
    16 ns
    2.6A
    -600mV
    8V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -600 mV
    75 pF
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFL4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-XFDFN Exposed Pad
    6
    -
    -
    2.11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101
    2014
    e4
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    530mW
    -
    -
    1.39W
    -
    3.5 ns
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    195m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    128.6pF @ 25V
    3.2nC @ 4.5V
    2.8ns
    -
    13 ns
    2.11A
    -
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    260
    40
    2
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NUS5531MTR2G NUS5531MTR2G ON Semiconductor 晶体管 - 特殊用途 8-WDFN Exposed Pad MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN 对比
DMP21D0UFB4-7B DMP21D0UFB4-7B Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-XFDFN MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN 对比
DMN2300UFB4-7B DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-XFDFN MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN 对比