FDME430NT备选型号: DMN3033LDM-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 已出版
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET12 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN630mgSILICON6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)8541.29.00.95DUALS-PDSO-N3Single增强型MOSFET2.1WDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 6A, 4.5V1.5V @ 250μA760pF @ 15V9nC @ 4.5V3ns±12V3.3 ns6A12V6A0.04Ohm30V75 pF500μm1.6mm1.6mm无符合RoHS标准------------
- MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-267 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66-SILICON6.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99--DUAL--增强型MOSFET2W-11 nsN-Channel-33m Ω @ 6.9A, 10V2.1V @ 250μA755pF @ 10V13nC @ 10V7ns±20V30 ns6.9A20V-0.033Ohm30V-1.1mm3mm1.6mm无ROHS3 CompliantTin2009HIGH RELIABILITY鸥翼260406SINGLE WITH BUILT-IN DIODE120A无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | 对比 |
![]() | DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 | 对比 |




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