ON Semiconductor FDME430NT

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-PowerUFDFN

引脚数

6

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 4.5V

上升时间

3ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

3.3 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

漏源击穿电压

30V

反馈上限-最大值 (Crss)

75 pF

高度

500μm

长度

1.6mm

宽度

1.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准