您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMQ8203 vs FDN8601

FDMQ8203备选型号: FDN8601

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDMQ8203
    ON Semiconductor
    This quad mosfet solution provides ten-fold improvement in power dissipation over diode bridge.
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-WDFN Exposed Pad
    12
    210mg
    SILICON
    3.4A 2.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    GreenBridge™ PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    2.5W
    FDMQ8203
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    110m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    210pF @ 50V
    5nC @ 10V
    2.8ns
    100V 80V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.7 ns
    2.6A
    3V
    20V
    6A
    0.11Ohm
    -80V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    3 V
    750μm
    5mm
    4.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN8601
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    -
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    2.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    109m Ω @ 1.5A, 10V
    -
    210pF @ 50V
    5nC @ 10V
    1.3ns
    -
    -
    3.4 ns
    2.7A
    3V
    20V
    -
    -
    100V
    -
    -
    3 V
    940μm
    1.4mm
    2.92mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4V @ 250μA
    2010
    DUAL
    鸥翼
    4.3 ns
    ±20V
    5 pF
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC 对比
FDN8601 FDN8601 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 对比