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首页 全部分类 FDMQ8203 vs FDS89161

FDMQ8203备选型号: FDS89161

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端形式
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDMQ8203
    ON Semiconductor
    This quad mosfet solution provides ten-fold improvement in power dissipation over diode bridge.
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-WDFN Exposed Pad
    12
    210mg
    SILICON
    3.4A 2.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    GreenBridge™ PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    2.5W
    FDMQ8203
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    110m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    210pF @ 50V
    5nC @ 10V
    2.8ns
    100V 80V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.7 ns
    2.6A
    3V
    20V
    6A
    0.11Ohm
    -80V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    3 V
    750μm
    5mm
    4.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS89161
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    31W
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    3.1W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    105m Ω @ 2.7A, 10V
    4V @ 250μA
    210pF @ 50V
    4.1nC @ 10V
    1.3ns
    100V
    -
    1.9 ns
    2.7A
    3V
    20V
    -
    0.105Ohm
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    -
    1.5mm
    4mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    鸥翼
    4.2 ns
    1.6W
    5 pF
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