ON Semiconductor FDMQ8203

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-WDFN Exposed Pad

引脚数

12

质量

210mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.4A 2.6A

Number of Elements

4

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

GreenBridge™ PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

最大功率耗散

2.5W

基本部件号

FDMQ8203

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

210pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 10V

上升时间

2.8ns

漏源电压 (Vdss)

100V 80V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

2.7 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.11Ohm

漏源击穿电压

-80V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

3 V

高度

750μm

长度

5mm

宽度

4.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅