您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMQ86530L vs NVD5865NLT4G

FDMQ86530L备选型号: NVD5865NLT4G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMQ86530L
    ON Semiconductor
    MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-WDFN Exposed Pad
    12
    242.3mg
    SILICON
    511CR
    4
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    GreenBridge™ PowerTrench®
    2010
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    1.9W
    DUAL
    COMPLEX
    增强型MOSFET
    1.9W
    排水源头
    8.8 ns
    4 N-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 8A, 10V
    3V @ 250μA
    2295pF @ 30V
    33nC @ 10V
    3.8ns
    60V
    2.8 ns
    8A
    1.8V
    20V
    8A
    0.0175Ohm
    60V
    50A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    15 pF
    28ns
    800μm
    5mm
    4.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD5865NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    -
    SILICON
    -
    10A Ta 46A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    yes
    LIFETIME (Last Updated: 3 hours ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    8.4 ns
    N-Channel
    -
    16m Ω @ 19A, 10V
    -
    1400pF @ 25V
    29nC @ 10V
    12.4ns
    60V
    4.4 ns
    10A
    -
    20V
    38A
    -
    -
    203A
    -
    -
    -
    -
    -
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2V @ 250μA
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    ±20V
    60V
    36 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS5670 FDS5670 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC 对比
NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM 对比
DMT6016LFDF-7 DMT6016LFDF-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN 对比