ON Semiconductor FDMQ86530L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-WDFN Exposed Pad

引脚数

12

质量

242.3mg

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

511CR

Number of Elements

4

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

系列

GreenBridge™ PowerTrench®

已出版

2010

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

最大功率耗散

1.9W

端子位置

DUAL

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.9W

箱体转运

排水源头

接通延迟时间

8.8 ns

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.5m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2295pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

3.8ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.0175Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

15 pF

接通时间-最大值(ton)

28ns

高度

800μm

长度

5mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅