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FDMS3602AS备选型号: FDMS3600AS

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 漏源电压 (Vdss)
  • ON Semiconductor
    FDMS3602AS
    ON Semiconductor
    MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    171mg
    SILICON
    15A 26A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N6
    2
    增强型MOSFET
    排水源头
    12 ns
    2.2W 2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1770pF @ 13V
    27nC @ 10V
    4.2ns
    3.2 ns
    26A
    20V
    15A
    0.0056Ohm
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    90 pF
    ROHS3 Compliant
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3600AS
    ON Semiconductor
    MOSFET iFET - Smart Harvest
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    15A 30A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N6
    2
    增强型MOSFET
    排水源头
    13 ns
    2.2W 2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 15A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1770pF @ 13V
    27nC @ 10V
    5.3ns
    3.9 ns
    30A
    20V
    15A
    0.0056Ohm
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    90 pF
    ROHS3 Compliant
    25V
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