您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMS3602AS vs IRFHM8228TRPBF

FDMS3602AS备选型号: IRFHM8228TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 电阻
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS3602AS
    ON Semiconductor
    MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    171mg
    SILICON
    15A 26A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N6
    2
    增强型MOSFET
    排水源头
    12 ns
    2.2W 2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1770pF @ 13V
    27nC @ 10V
    4.2ns
    3.2 ns
    26A
    20V
    15A
    0.0056Ohm
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    90 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8228TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    19A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    S-PDSO-F5
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.2m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1667pF @ 10V
    18nC @ 10V
    22ns
    6.2 ns
    19A
    20V
    65A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2013
    4.2mOhm
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    25V
    ±20V
    1.8V
    260A
    25V
    50 mJ
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMS3600S FDMS3600S ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More Details 对比
IRFHM8228TRPBF IRFHM8228TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN 对比
FDMS3600AS FDMS3600AS ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerTDFN MOSFET iFET - Smart Harvest 对比