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首页 全部分类 FDMS3616S vs FDD6796A

FDMS3616S备选型号: FDD6796A

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  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMS3616S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    Power56
    90mg
    16A 18A
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.3W
    Dual
    1W
    1W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    6.6mOhm @ 16A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1765pF @ 13V
    27nC @ 10V
    3ns
    25V
    2.2 ns
    18A
    20V
    25V
    1.765nF
    逻辑电平门
    3.5mOhm
    6.6 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6796A
    ON Semiconductor
    MOSFET NCH 25V 20A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    20A Ta 40A Tc
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    3.7W
    -
    N-Channel
    5.7m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    1780pF @ 13V
    34nC @ 10V
    7ns
    -
    4 ns
    20A
    20V
    25V
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    SWITCHING
    ±20V
    67A
    0.0057Ohm
    40 mJ
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