FDMS3616S备选型号: NTD4857NT4G

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  • 功率耗散
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs(最大值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    Power56
    90mg
    16A 18A
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.3W
    Dual
    1W
    1W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    6.6mOhm @ 16A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1765pF @ 13V
    27nC @ 10V
    3ns
    25V
    2.2 ns
    18A
    20V
    25V
    1.765nF
    逻辑电平门
    3.5mOhm
    6.6 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    -
    -
    12A Ta 78A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    2.1W
    -
    N-Channel
    5.7m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1960pF @ 12V
    24nC @ 4.5V
    18.7ns
    -
    3.6 ns
    14.6A
    20V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    2007
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    78A
    0.008Ohm
    无铅
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