FDMS3616S备选型号: FDMS3615S

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  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    Power56
    90mg
    16A 18A
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.3W
    Dual
    1W
    1W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    6.6mOhm @ 16A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1765pF @ 13V
    27nC @ 10V
    3ns
    25V
    2.2 ns
    18A
    20V
    25V
    1.765nF
    逻辑电平门
    3.5mOhm
    6.6 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET DUAL N-Channel PowerTrench MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    90mg
    16A 18A
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    1W
    -
    1W
    -
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5.8m Ω @ 16A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1765pF @ 13V
    27nC @ 10V
    3ns
    -
    2.2 ns
    18A
    20V
    25V
    -
    逻辑电平门
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    2011
    e3
    yes
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    排水源头
    SWITCHING
    16A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    115 pF
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
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