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首页 全部分类 FDMS5672 vs FDS5672

FDMS5672备选型号: FDS5672

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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 晶体管应用
  • 最大结点温度（Tj）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMS5672
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin MLP EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    231mg
    SILICON
    10.6A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    11.5MOhm
    60V
    DUAL
    无铅
    未说明
    22A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    N-Channel
    11.5m Ω @ 10.6A, 10V
    4V @ 250μA
    2800pF @ 30V
    45nC @ 10V
    17ns
    ±20V
    8 ns
    10.6A
    3.2V
    20V
    60V
    60A
    60V
    3.2 V
    750μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS5672
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    10MOhm
    60V
    DUAL
    鸥翼
    -
    12A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    2200pF @ 25V
    45nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    14 ns
    12mA
    4V
    20V
    60V
    -
    -
    4 V
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    SWITCHING
    150°C
    无
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