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首页 全部分类 FDMS7602S vs FDMS7694

FDMS7602S备选型号: FDMS7694

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  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDMS7602S
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    SILICON
    12A 17A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    7.5MOhm
    2.5W
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    1W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1750pF @ 15V
    28nC @ 10V
    3.8ns
    3.2 ns
    17A
    1.8V
    20V
    30V
    40A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    700μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7694
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    74mg
    SILICON
    13.2A Ta 20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    27W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 13.2A, 10V
    3V @ 250μA
    1410pF @ 15V
    22nC @ 10V
    2ns
    1.6 ns
    20A
    2V
    20V
    30V
    50A
    -
    -
    2 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DUAL
    FLAT
    Single
    8.4 ns
    ±20V
    MO-240AA
    47A
    0.0095Ohm
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