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首页 全部分类 FDMS7602S vs IRFHM8330TRPBF

FDMS7602S备选型号: IRFHM8330TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • 通道数量
  • 接通延迟时间
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMS7602S
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    SILICON
    12A 17A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    7.5MOhm
    2.5W
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    1W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1750pF @ 15V
    28nC @ 10V
    3.8ns
    3.2 ns
    17A
    1.8V
    20V
    30V
    40A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    700μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8330TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
    -
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    16A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    S-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.6m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1450pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    5.7 ns
    16A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2013
    DUAL
    FLAT
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    9.2 ns
    ±20V
    55A
    0.0066Ohm
    42 mJ
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