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首页 全部分类 FDMS7620S vs FDD6612A

FDMS7620S备选型号: FDD6612A

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS7620S
    ON Semiconductor
    DUAL N CH MOSFET, 30V, 22A, POWER56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    SILICON
    10.1A 12.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    2.5W
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    2.2W
    排水源头
    6.6 ns
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 10.1A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    11nC @ 10V
    1.8ns
    1.5 ns
    12.4A
    2.2V
    20V
    0.0101A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    31 pF
    750μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6612A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    9.5A Ta 30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    36W
    DRAIN
    9 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 9.5A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 15V
    9.4nC @ 5V
    5ns
    4 ns
    30A
    2V
    20V
    9.5A
    30V
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    20MOhm
    逻辑电平兼容
    30V
    鸥翼
    30A
    Single
    ±20V
    60A
    90 mJ
    2 V
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