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首页 全部分类 FDMS7620S vs IRF8313TRPBF

FDMS7620S备选型号: IRF8313TRPBF

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS7620S
    ON Semiconductor
    DUAL N CH MOSFET, 30V, 22A, POWER56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    SILICON
    10.1A 12.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    2.5W
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    2.2W
    排水源头
    6.6 ns
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 10.1A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    11nC @ 10V
    1.8ns
    1.5 ns
    12.4A
    2.2V
    20V
    0.0101A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    31 pF
    750μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    8.3 ns
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    9nC @ 4.5V
    9.9ns
    4.2 ns
    9.7A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    15.5MOhm
    鸥翼
    IRF8313PBF
    Dual
    30V
    46 mJ
    1.8 V
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