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首页 全部分类 FDMS7620S vs IRF8313PBF

FDMS7620S备选型号: IRF8313PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大耗散功率(Abs)
  • ON Semiconductor
    FDMS7620S
    ON Semiconductor
    DUAL N CH MOSFET, 30V, 22A, POWER56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    SILICON
    10.1A 12.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    2.5W
    R-PDSO-N6
    增强型MOSFET
    2.2W
    排水源头
    6.6 ns
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 10.1A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    11nC @ 10V
    1.8ns
    1.5 ns
    12.4A
    2.2V
    20V
    0.0101A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    31 pF
    750μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8313PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
    -
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    SILICON
    9.7A
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2004
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    R-PDSO-G8
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15.5m Ω @ 9.7A, 10V
    2.35V @ 25μA
    760pF @ 15V
    90nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    9.7A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    鸥翼
    未说明
    未说明
    IRF8313PBF
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    MS-012AA
    0.0155Ohm
    81A
    30V
    46 mJ
    2W
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