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首页 全部分类 FDMS8050ET30 vs IPT004N03LATMA1

FDMS8050ET30备选型号: IPT004N03LATMA1

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS8050ET30
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    55A Ta 423A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    0.65m Ω @ 55A, 10V
    3V @ 750μA
    22610pF @ 15V
    285nC @ 10V
    30V
    ±20V
    423A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPT004N03LATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 300A 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSFN
    8
    -
    300A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    not_compliant
    -
    -
    N-Channel
    0.4m Ω @ 150A, 10V
    2.2V @ 250μA
    24000pF @ 15V
    163nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    300A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    2
    SINGLE
    FLAT
    R-PSSO-F2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    30 ns
    SWITCHING
    无卤素
    17ns
    37 ns
    2.2V
    20V
    30V
    0.0005Ohm
    无SVHC
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