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首页 全部分类 FDMS8050ET30 vs NVMFS4C01NWFT3G

FDMS8050ET30备选型号: NVMFS4C01NWFT3G

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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    FDMS8050ET30
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    55A Ta 423A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    0.65m Ω @ 55A, 10V
    3V @ 750μA
    22610pF @ 15V
    285nC @ 10V
    30V
    ±20V
    423A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C01NWFT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    49A Ta 319A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    not_compliant
    -
    -
    N-Channel
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    10144pF @ 15V
    139nC @ 10V
    30V
    ±20V
    319A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    5
    DUAL
    FLAT
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    0.00095Ohm
    900A
    30V
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