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首页 全部分类 FDMS86380-F085 vs IRF6668TRPBF

FDMS86380-F085备选型号: IRF6668TRPBF

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  • 端子位置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86380-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    29 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    172.8mg
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    13.4m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 40V
    30nC @ 10V
    80V
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6668TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    3
    -
    55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    -
    Single
    N-Channel
    15m Ω @ 12A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1320pF @ 25V
    31nC @ 10V
    -
    ±20V
    55mA
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2006
    3
    EAR99
    80V
    BOTTOM
    55A
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    19 ns
    SWITCHING
    13ns
    23 ns
    4V
    20V
    0.015Ohm
    80V
    170A
    24 mJ
    533.4μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
    无铅
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