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首页 全部分类 FDMS86380-F085 vs STL50DN6F7

FDMS86380-F085备选型号: STL50DN6F7

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86380-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    29 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    172.8mg
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    13.4m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 40V
    30nC @ 10V
    80V
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL50DN6F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    57A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    -
    2 N-Channel (Dual)
    11m Ω @ 7.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1035pF @ 30V
    17nC @ 10V
    60V
    -
    57A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    6
    EAR99
    62.5W
    FLAT
    STL50
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.011Ohm
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无铅
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