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首页 全部分类 FDMS86550ET60 vs AUIRFS3006-7P

FDMS86550ET60备选型号: AUIRFS3006-7P

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMS86550ET60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V POWER56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    32A Ta 245A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    260
    未说明
    1
    Single
    43 ns
    N-Channel
    1.65m Ω @ 32A, 10V
    8235pF @ 30V
    154nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    11 ns
    245A
    20V
    60V
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS3006-7P
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    240A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260
    30
    -
    -
    14 ns
    N-Channel
    2.1m Ω @ 168A, 10V
    8850pF @ 50V
    300nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    69 ns
    240A
    20V
    60V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    SILICON
    2010
    6
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    SWITCHING
    2V
    TO-263CB
    303 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无
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