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首页 全部分类 FDMS8670AS vs BSC030N03LSGATMA1

FDMS8670AS备选型号: BSC030N03LSGATMA1

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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMS8670AS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    23A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.5W
    N-Channel
    3mOhm @ 23A, 10V
    3V @ 1mA
    3615pF @ 15V
    55nC @ 10V
    5ns
    30V
    ±20V
    4 ns
    23A
    20V
    30V
    3.615nF
    3mOhm
    3 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC030N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    23A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    69W
    N-Channel
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    4300pF @ 15V
    55nC @ 10V
    5.2ns
    -
    ±20V
    4.8 ns
    23A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    SILICON
    e3
    no
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.3 ns
    SWITCHING
    无卤素
    30V
    0.0047Ohm
    400A
    75 mJ
    无
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