FDMS8670AS备选型号: FDMS8660AS
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 电阻
- 元素配置
- MOSFET N-CH 30V 23A POWER56表面贴装表面贴装8-PowerTDFN88-PQFN (5x6)23A Ta 42A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C2.5WN-Channel3mOhm @ 23A, 10V3V @ 1mA3615pF @ 15V55nC @ 10V5ns30V±20V4 ns23A20V30V3.615nF3mOhm3 mΩ符合RoHS标准无铅----
- MOSFET N-CH 30V 28A POWER56表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-28A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009Obsolete1 (Unlimited)--2.5WN-Channel2.1m Ω @ 28A, 10V3V @ 1mA5865pF @ 15V83nC @ 10V8ns-±20V5 ns28A20V30V---符合RoHS标准无铅68.1mgyes2.1MOhmSingle
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8660AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 | 对比 | |
![]() | BSC030N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON | 对比 |
![]() | IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 对比 |




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