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首页 全部分类 FDMS8670AS vs IRF8788TRPBF

FDMS8670AS备选型号: IRF8788TRPBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMS8670AS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8-PQFN (5x6)
    23A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    2.5W
    N-Channel
    3mOhm @ 23A, 10V
    3V @ 1mA
    3615pF @ 15V
    55nC @ 10V
    5ns
    30V
    ±20V
    4 ns
    23A
    20V
    30V
    3.615nF
    3mOhm
    3 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8788TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    24A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5W
    N-Channel
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    -
    ±20V
    11 ns
    24A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    EAR99
    2.8MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    23 ns
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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