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FDN339AN备选型号: IRLML6402TRPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 制造商包装标识符
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏源电压 (Vdss)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®1999e3yes活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR9935mOhmTin (Sn)20VDUAL鸥翼3A1Single增强型MOSFET500mW8 nsN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 3A, 4.5V1.5V @ 250μA700pF @ 10V10nC @ 4.5V10ns±8V10 ns3A850mV8V3A20V20V150°C850 mV1.22mm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON3.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005e3-活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR9965mOhm--20VDUAL鸥翼-3.7A1Single增强型MOSFET1.3W350 nsP-ChannelSWITCHING65m Ω @ 3.7A, 4.5V1.2V @ 250μA633pF @ 10V12nC @ 5V48ns±12V381 ns-3.7A-550mV12V--20V-20V150°C-550 mV1.12mm3.0226mm1.397mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TinMicro3HIGH RELIABILITY2603020V22A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN304PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | 对比 |
 | NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN | 对比 |
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | 对比 |
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