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首页 全部分类 FDP023N08B-F102 vs IPP120N06S402AKSA2

FDP023N08B-F102备选型号: IPP120N06S402AKSA2

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FDP023N08B-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    2.346g
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    245W
    41 ns
    N-Channel
    2.35m Ω @ 75A, 10V
    3.8V @ 250μA
    13765pF @ 37.5V
    195nC @ 10V
    71ns
    ±20V
    56 ns
    120A
    20V
    75V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP120N06S402AKSA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive Tube
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    6.000006g
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    188W
    -
    N-Channel
    2.8mOhm @ 100A, 10V
    4V @ 140μA
    15750pF @ 25V
    195nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    120A
    20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    PG-TO220-3-1
    2009
    175°C
    -55°C
    1
    60V
    60V
    15.75nF
    2.8 mΩ
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