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首页 全部分类 FDP13AN06A0 vs IRF1018EPBF

FDP13AN06A0备选型号: IRF1018EPBF

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  • 输入电容
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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDP13AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    10.9A Ta 62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    60V
    62A
    Single
    115W
    9 ns
    N-Channel
    13.5mOhm @ 62A, 10V
    4V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    96ns
    60V
    ±20V
    26 ns
    62A
    4V
    20V
    60V
    1.35nF
    13.5mOhm
    13.5 mΩ
    4 V
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    Unknown
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1018EPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    79A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    110W
    13 ns
    N-Channel
    8.4m Ω @ 47A, 10V
    4V @ 100μA
    2290pF @ 50V
    69nC @ 10V
    35ns
    -
    ±20V
    46 ns
    79A
    4V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    3
    EAR99
    8.4MOhm
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    88 mJ
    39 ns
    无
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