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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.983568
10
¥12.248651
100
¥11.555329
500
¥10.901255
1000
¥10.284198
ON Semiconductor FDP13AN06A0
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FDP13AN06A0
1807-FDP13AN06A0
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDP13AN06A0详情
ON Semiconductor FDP13AN06A0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.9A Ta 62A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
115W Tc
Turn Off Delay Time
44 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
额定电流
62A
元素配置
Single
功率耗散
115W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.5mOhm @ 62A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
上升时间
96ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
26 ns
连续放电电流(ID)
62A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
1.35nF
漏源电阻
13.5mOhm
最大rds
13.5 mΩ
栅源电压
4 V
高度
9.65mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDP13AN06A0拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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