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首页 全部分类 FDP13AN06A0 vs IRFZ44VPBF

FDP13AN06A0备选型号: IRFZ44VPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
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  • 最大rds
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDP13AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    10.9A Ta 62A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    60V
    62A
    Single
    115W
    9 ns
    N-Channel
    13.5mOhm @ 62A, 10V
    4V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    96ns
    60V
    ±20V
    26 ns
    62A
    4V
    20V
    60V
    1.35nF
    13.5mOhm
    13.5 mΩ
    4 V
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    Unknown
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ44VPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    60V
    55A
    Single
    115W
    13 ns
    N-Channel
    16.5m Ω @ 31A, 10V
    4V @ 250μA
    1812pF @ 25V
    67nC @ 10V
    97ns
    -
    ±20V
    57 ns
    55A
    4V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    4 V
    8.77mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    3
    通孔
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    220A
    60V
    105 ns
    无
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