FDP8440备选型号: IRFB3004GPBF

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 最高工作温度
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  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 系列
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • ON Semiconductor
    MOSFET 40V N-Channel Power Trench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    TO-220AB
    3
    1.8g
    1
    Tube
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.2MOhm
    175°C
    -55°C
    306W
    Single
    增强型MOSFET
    306W
    43 ns
    SWITCHING
    130ns
    40V
    N-CHANNEL
    290 ns
    277A
    20V
    40V
    500A
    24.74nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2.2mOhm
    2.2 mΩ
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
    -
    -
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    195A Tc
    Tube
    2009
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    175°C
    -55°C
    -
    Single
    -
    380W
    23 ns
    -
    220ns
    40V
    -
    130 ns
    195A
    20V
    40V
    -
    9.2nF
    -
    1.75mOhm
    1.75 mΩ
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    符合RoHS标准
    -
    通孔
    TO-220AB
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    N-Channel
    1.75mOhm @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    9200pF @ 25V
    240nC @ 10V
    ±20V
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