FDP8440备选型号: IRFB7437PBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
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- 包装
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET 40V N-Channel Power TrenchACTIVE (Last Updated: 3 days ago)9 Weeks通孔TO-220AB31.8g1Tube2017yes活跃1 (Unlimited)3EAR992.2MOhm175°C-55°C306WSingle增强型MOSFET306W43 nsSWITCHING130ns40VN-CHANNEL290 ns277A20V40V500A24.74nFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR2.2mOhm2.2 mΩ16.51mm10.67mm4.83mm无ROHS3 Compliant无铅----------------
- MOSFET N CH 40V 195A TO220-12 Weeks通孔TO-220-33-195A TcTube2012-活跃1 (Unlimited)3EAR992MOhm---Single增强型MOSFET230W19 nsSWITCHING70ns--53 ns195A20V40V-----16.51mm10.67mm4.83mm无ROHS3 Compliant无铅通孔SILICON-55°C~175°C TJHEXFET®, StrongIRFET™DRAINN-Channel2m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 150μA7330pF @ 25V225nC @ 10V±20V3VTO-220AB30 ns3 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB3004GPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB | 对比 |
![]() | IRFB7437PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 40V 195A TO220 | 对比 |
![]() | IRFB7434PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 324 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |



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