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首页 全部分类 FDP8440 vs IRLB3034PBF

FDP8440备选型号: IRLB3034PBF

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  • 漏源电阻
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  • 通道数量
  • 场效应管类型
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDP8440
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V N-Channel Power Trench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    TO-220AB
    3
    1.8g
    1
    Tube
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    2.2MOhm
    175°C
    -55°C
    306W
    Single
    增强型MOSFET
    306W
    43 ns
    SWITCHING
    130ns
    40V
    N-CHANNEL
    290 ns
    277A
    20V
    40V
    500A
    24.74nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    2.2mOhm
    2.2 mΩ
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB3034PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    -
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    195A Tc
    Tube
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.7MOhm
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    65 ns
    SWITCHING
    827ns
    -
    -
    355 ns
    195A
    20V
    40V
    -
    -
    -
    -
    -
    19.8mm
    10.5156mm
    4.699mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    未说明
    未说明
    不合格
    1
    N-Channel
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    2.5V @ 250μA
    10315pF @ 25V
    162nC @ 4.5V
    ±20V
    2.5V
    TO-220AB
    255 mJ
    175°C
    无SVHC
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