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首页 全部分类 FDPC8013S vs BSC886N03LSGATMA1

FDPC8013S备选型号: BSC886N03LSGATMA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • ON Semiconductor
    FDPC8013S
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPC8013SDual MOSFET, Dual N Channel, 55 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1.7 V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    192mg
    13A 26A
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2W
    Dual
    2W
    6 ns
    800mW 900mW
    2 N-Channel (Dual)
    6.4m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    827pF @ 15V
    13nC @ 10V
    5ns
    4 ns
    55A
    1.7V
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.7 V
    750μm
    3.4mm
    3.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    13A Ta 65A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    2.5W
    4.2 ns
    -
    N-Channel
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    3 ns
    65A
    2.2V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    5
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    30V
    ±20V
    0.0092Ohm
    260A
    30V
    20 mJ
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