ON Semiconductor FDPC8013S
- 收藏
- 对比
FDPC8013S
1807-FDPC8013S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
立即发货

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPC8013SDual MOSFET, Dual N Channel, 55 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1.7 V
--最小包装量--
FDPC8013S详情
ON Semiconductor FDPC8013S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
192mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A 26A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
系列
PowerTrench®
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2W
元素配置
Dual
功率耗散
2W
接通延迟时间
6 ns
功率 - 最大
800mW 900mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.4m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
827pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
5ns
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
55A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
1.7 V
高度
750μm
长度
3.4mm
宽度
3.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDPC8013S拓展信息











哦! 它是空的。