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首页 全部分类 FDPC8013S vs IRF6712STR1PBF

FDPC8013S备选型号: IRF6712STR1PBF

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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FDPC8013S
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPC8013SDual MOSFET, Dual N Channel, 55 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1.7 V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    192mg
    13A 26A
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2W
    Dual
    2W
    6 ns
    800mW 900mW
    2 N-Channel (Dual)
    6.4m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    827pF @ 15V
    13nC @ 10V
    5ns
    4 ns
    55A
    1.7V
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.7 V
    750μm
    3.4mm
    3.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6712STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    -
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2.2W
    11 ns
    -
    N-Channel
    4.9mOhm @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    12 ns
    17A
    1.9V
    20V
    25V
    -
    -
    1.9 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    DIRECTFET™ SQ
    SMD/SMT
    4.9MOhm
    150°C
    -40°C
    25V
    ±20V
    25V
    1.57nF
    26 ns
    8.7mOhm
    4.9 mΩ
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