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首页 全部分类 FDPC8013S vs IRFHM831TRPBF

FDPC8013S备选型号: IRFHM831TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 电阻
  • 端子位置
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • ON Semiconductor
    FDPC8013S
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPC8013SDual MOSFET, Dual N Channel, 55 A, 30 V, 0.0014 ohm, 10 V, 1.7 V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    192mg
    13A 26A
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2W
    Dual
    2W
    6 ns
    800mW 900mW
    2 N-Channel (Dual)
    6.4m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    827pF @ 15V
    13nC @ 10V
    5ns
    4 ns
    55A
    1.7V
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.7 V
    750μm
    3.4mm
    3.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM831TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    14A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    Single
    2.5W
    6.9 ns
    -
    N-Channel
    7.8m Ω @ 12A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1050pF @ 25V
    16nC @ 10V
    12ns
    4.7 ns
    14A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    1.8 V
    990.6μm
    3.2766mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    5
    12.6MOhm
    DUAL
    S-PDSO-N5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    40A
    96A
    50 mJ
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