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FDPC8016S备选型号: PSMN3R2-25YLC,115
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 已出版
- 引脚数量
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 源Url状态检查日期
MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIPACTIVE (Last Updated: 3 days ago)23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8207.7333mgSILICON20A 35A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)42W无铅未说明not_compliant未说明2Dual增强型MOSFETDRAIN13 ns2.1W 2.3W2 N-Channel (Dual) AsymmetricalSWITCHING3.8m Ω @ 20A, 10V2.5V @ 250μA2375pF @ 13V35nC @ 10V4ns3 ns100A12V25V75A73 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门750μm5.1mm6.1mmROHS3 Compliant-----
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK---表面贴装SC-100, SOT-669---100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)---Obsolete1 (Unlimited)------not_compliant-------N-Channel-3.4m Ω @ 25A, 10V1.95V @ 1mA1781pF @ 12V30nC @ 10V------------ROHS3 Compliant2011425V±20V2013-06-14 00:00:00- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PSMN3R2-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 对比 |
 | NTD4854NT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK | 对比 |
 | IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 | 对比 |
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