ON Semiconductor FDPC8016S
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FDPC8016S
1807-FDPC8016S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
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MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
--最小包装量--
FDPC8016S详情
ON Semiconductor FDPC8016S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
207.7333mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A 35A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
42W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
功率 - 最大
2.1W 2.3W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2375pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
75A
雪崩能量等级(Eas)
73 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
750μm
长度
5.1mm
宽度
6.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDPC8016S拓展信息










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