FDPC8016S
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ON Semiconductor FDPC8016S

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型号

FDPC8016S

utmel 编号

1807-FDPC8016S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP

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FDPC8016S
FDPC8016S ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP

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FDPC8016S详情

ON Semiconductor FDPC8016S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    23 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • 引脚数

    8

  • 质量

    207.7333mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A 35A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    38 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    42W

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 功率 - 最大

    2.1W 2.3W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.8m Ω @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2375pF @ 13V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    35nC @ 10V

  • 上升时间

    4ns

  • 下降时间(典型值)

    3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    100A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    75A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    73 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    750μm

  • 长度

    5.1mm

  • 宽度

    6.1mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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