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首页 全部分类 FDR840P vs DMN2011UFDE-7

FDR840P备选型号: DMN2011UFDE-7

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • ON Semiconductor
    FDR840P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SuperSOT T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
    8
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    -10A
    1.8W
    P-Channel
    12m Ω @ 10A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    4481pF @ 10V
    60nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    ±12V
    15 ns
    10A
    12V
    -20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2011UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    -
    11.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    9.5m Ω @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2248pF @ 10V
    56nC @ 10V
    2.6ns
    20V
    ±12V
    13.5 ns
    11.7A
    12V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    23 Weeks
    e4
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DMN2011
    1
    Single
    3.6 ns
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