FDR840P备选型号: FDW252P
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 电阻
- 接通延迟时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SuperSOT T/R表面贴装表面贴装8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)810A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000Obsolete1 (Unlimited)-20V-10A1.8WP-Channel12m Ω @ 10A, 4.5V1.5V @ 250μA4481pF @ 10V60nC @ 4.5V15ns20V±12V15 ns10A12V-20V符合RoHS标准无铅------
- MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP表面贴装表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)88.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000Obsolete1 (Unlimited)-20V-8.8A1.3WP-Channel12.5m Ω @ 8.8A, 4.5V1.5V @ 250μA5045pF @ 10V66nC @ 4.5V14ns20V±12V14 ns8.8A12V-20V符合RoHS标准无铅PowerTrench®12.5MOhm8 ns1mm3mm4.4mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6 | 对比 |
![]() | FDW252P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP | 对比 |





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